（1） B1類單模光纖光纖的分類

G.652光纖是現(xiàn)在網(wǎng)絡(luò)上應(yīng)用比較多的一種光纖，ITU-T對于G.652分為四類光纖G. 652A、B、C、D 。
G.652四種光纖的分類主要基于PMD（偏振模色散）的要求和在1383nm處的衰耗要求。

G.652A支持10Gbit/s系統(tǒng)傳輸距離可達(dá)400km，10Gbit/s以太網(wǎng)的傳輸達(dá)40km，支持40Gbit/s系統(tǒng)的距離為2km。

對于G.652B型光纖，必須支持10Gbit/s系統(tǒng)傳輸距離可達(dá)3000km以上，40Gbit/s系統(tǒng)的傳輸距離為80km。

對于G.652C型光纖，基本屬性與G.652A相同，但在1550nm的衰減系數(shù)更低，而且消除了1380nm附近的水吸收峰，即系統(tǒng)可以工作在1360~1530nm波段。

G.652D型光纖的屬性與G.652B光纖基本相同，而衰減系數(shù)與G.652C光纖相同，即系統(tǒng)可以工作在1360~1530nm波段。

G.652D是所有G.652級別中指標(biāo)zui嚴(yán)格的并且*向下兼容的。

（2）B1類單模光纖光纖技術(shù)參數(shù)

1.光纖類型

    二氧化硅B1.1單模光纖

2.工作波長

    滿足1310nm和1550nm傳輸窗口的性能指標(biāo)

3.截止波長

    2m涂覆光纖上測試的λc值為1100nm~1280nm,22m成纜光纖上測試的λcc值≤1270nm。

4.幾何特性

   模場直徑：標(biāo)稱值(9.3 μm)±10%。

　 包層直徑：標(biāo)稱值125μm±2μm。

　 涂層直徑：標(biāo)稱值245±10μm。

　 場模不圓度：≤6%。

　 包層不圓度：<2%。

　 模場/包層同心度偏差:≤1.0μm。

　 包層/涂層同心度誤差: ≤12.5μm。

5. 涂覆層

　　光纖涂敷層與光纖表面緊密接觸不退色、不遷染。涂覆層須易剝離，以便光纖接續(xù)。

6. 篩選水平和疲勞系數(shù)

　　光纖須通過全長度張力測試，其篩選水平須相當(dāng)于在應(yīng)力至0.42GPa(相當(dāng)于應(yīng)變約0.6%)下持續(xù)一秒時間。光纖的疲勞系數(shù)≥20。

7. 色散特性

    (1)零色散波長范圍為1300~1324nm

　　(2)zui大零色散點(diǎn)斜率不大于0.093ps/(n㎡.km)。

　　(3)1288～1339nm范圍內(nèi)色散系數(shù)不大于3.5ps/n㎡.km

　　(4)1271—1360mm范圍內(nèi)色散系數(shù)不大于5.3ps/n㎡.km

　　(5)1550nm波長的色散系數(shù)不大于18ps/n㎡.km

　　(6)1480—1580nm范圍內(nèi)色散系數(shù)不大于20ps/n㎡.km

   8. 衰減特性

     (1)在13l0nm波長上的zui大衰減系數(shù)為：0.36dB/km。在1285~1330nm波長范圍  內(nèi)，任一波長上光纖的衰減系數(shù)與13l0nm波長上的衰減系數(shù)相比，其差值不超過0.03dB/km。

        在1550nm波長上的zui大衰減系數(shù)為：0.21dB/km。在1480~1580nm波長范圍內(nèi)，任一波長上光纖的衰減系數(shù)與1550nm波長上的衰數(shù)系數(shù)相比，其差值不超過0.05dB/km。

　　 (2)光纖衰減曲線應(yīng)有良好的線性并且無明顯臺階。用OTDR（光時域反射儀）檢測任意一根光纖時，在13l0nm和1550nm處500m光纖的衰減值不大于(amean±0.10dB)/2， amean是光纖的平均衰減系數(shù)。

   9. 宏彎損耗

　　以半徑37.5mm送繞100圈，在1550波長上測得的彎曲附加損耗≤0.5dB

   10. 衰減不均勻性

　　光纖衰減不均勻性：≤0.05dB